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AIMBG120R010M1XTMA1
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 205 A, 1.2 kV, 0.0087 ohm, TO-263
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY324.230 (CNY366.3799) |
| 5+ | CNY295.420 (CNY333.8246) |
| 10+ | CNY264.720 (CNY299.1336) |
| 50+ | CNY252.010 (CNY284.7713) |
| 100+ | CNY239.060 (CNY270.1378) |
包装规格：单件（切割供应）
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多件: 1
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号AIMBG120R010M1XTMA1
库存编号4216495
也称为AIMBG120R010M1, SP005411519
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续205A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.0087ohm
晶体管封装类型TO-263
针脚数7引脚
Rds(on)测试电压20V
阈值栅源电压最大值5.1V
功率耗散882W
工作温度最高值175°C
产品范围CoolSiC Trench Series
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
205A
漏源接通状态电阻
0.0087ohm
针脚数
7引脚
阈值栅源电压最大值
5.1V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
TO-263
Rds(on)测试电压
20V
功率耗散
882W
产品范围
CoolSiC Trench Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001