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|---|---|
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| 5+ | CNY89.680 (CNY101.3384) |
| 10+ | CNY75.500 (CNY85.315) |
| 50+ | CNY70.950 (CNY80.1735) |
| 100+ | CNY66.390 (CNY75.0207) |
| 250+ | CNY65.060 (CNY73.5178) |
包装规格:单件(切割供应)
最低: 1
多件: 1
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品項附註
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技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
54A
漏源接通状态电阻
0.04ohm
针脚数
7引脚
阈值栅源电压最大值
5.1V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
TO-263
Rds(on)测试电压
20V
功率耗散
268W
产品范围
CoolSiC Trench Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.001