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AIMBG75R016M1HXTMA1
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 98 A, 750 V, 0.022 ohm, TO-263 (D2PAK)
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY139.100 (CNY157.183) |
| 5+ | CNY119.200 (CNY134.696) |
| 10+ | CNY99.300 (CNY112.209) |
| 50+ | CNY95.040 (CNY107.3952) |
| 100+ | CNY90.770 (CNY102.5701) |
| 250+ | CNY86.500 (CNY97.745) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号AIMBG75R016M1HXTMA1
库存编号4295102
也称为AIMBG75R016M1H, SP005582386
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续98A
漏源电压, Vds750V
漏源接通状态电阻0.022ohm
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
针脚数7引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值5.6V
功率耗散384W
工作温度最高值175°C
产品范围CoolSiC Gen I Series
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
98A
漏源接通状态电阻
0.022ohm
针脚数
7引脚
阈值栅源电压最大值
5.6V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
750V
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
384W
产品范围
CoolSiC Gen I Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0013