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AUIRF7341QTR
双路场效应管, MOSFET, N通道, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 4000+ | CNY8.540 (CNY9.6502) |
| 12000+ | CNY8.370 (CNY9.4581) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号AUIRF7341QTR
库存编号4204744
产品范围HEXFET Series
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道55V
漏源电压Vds P沟道55V
连续漏极电流 Id N沟道5.1A
连续漏极电流 Id P沟道5.1A
漏源通态电阻N沟道0.043ohm
漏源导通电阻P沟道0.043ohm
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道2.4W
耗散功率P沟道2.4W
工作温度最高值175°C
产品范围HEXFET Series
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2018)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
55V
连续漏极电流 Id P沟道
5.1A
漏源导通电阻P沟道
0.043ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
2.4W
产品范围
HEXFET Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
55V
连续漏极电流 Id N沟道
5.1A
漏源通态电阻N沟道
0.043ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
2.4W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2018)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000176