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AUIRF7343QTR
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号AUIRF7343QTR
库存编号2803372
产品范围HEXFET Series
也称为AUIRF7343QTR, SP001517450
技术数据表
通道类型互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道55V
漏源电压Vds P沟道55V
连续漏极电流 Id N沟道4.7A
连续漏极电流 Id P沟道4.7A
漏源通态电阻N沟道0.043ohm
漏源导通电阻P沟道0.043ohm
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道2W
耗散功率P沟道2W
工作温度最高值150°C
产品范围HEXFET Series
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
产品概述
- 汽车HEXFET®功率MOSFET
- 车用级别
- 先进的平面技术
- 超低导通电阻
- 逻辑电平栅极驱动
- 双N和P沟道MOSFET
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds P沟道
55V
连续漏极电流 Id P沟道
4.7A
漏源导通电阻P沟道
0.043ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
2W
产品范围
HEXFET Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
55V
连续漏极电流 Id N沟道
4.7A
漏源通态电阻N沟道
0.043ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
2W
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000227