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| 10+ | CNY7.500 (CNY8.475) |
| 100+ | CNY5.810 (CNY6.5653) |
| 500+ | CNY4.930 (CNY5.5709) |
| 1000+ | CNY3.780 (CNY4.2714) |
| 5000+ | CNY3.600 (CNY4.068) |
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产品概述
- Single silicon RF Schottky diode for mixers and detectors in radar systems and modules
- Silicon low barrier N-type device with integrated guard ring on-chip for over-voltage protection
- Low inductance and low capacitance
- Qualified for industrial applications according to the relevant tests of JEDEC47/20/22
- Single, leadless pin configuration
警告
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技术规格
二极管配置
单
正向电流
110mA
二极管电容
0.2pF
引脚数
2引脚
工作温度最高值
150°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
反向电压
4V
正向电压
410mV
二极管封装类型
TSSLP-2-1
二极管安装
表面安装
产品范围
BAT24
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000033