打印页面
BFP420FH6327XTSA1
晶体管 双极-射频, NPN, 4.5 V, 25 GHz, 210 mW, 60 mA, TSFP
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号BFP420FH6327XTSA1
库存编号2480666
也称为BFP 420F H6327, SP000745268
技术数据表
晶体管极性NPN
最大集电极发射电压4.5V
过渡频率25GHz
功率耗散210mW
连续集电极电流60mA
晶体管封装类型TSFP
针脚数4引脚
直流电流增益, Hfe 最小值60hFE
晶体管安装表面安装
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The BFP 420F H6327 is a NPN wideband silicon Bipolar RF Transistor designed for mobile applications in which low power consumption is a key requirement. The typical transition frequency is approximately 25GHz, hence the device offers high power gain at frequencies up to 4.5GHz in amplifier applications. The device is housed in a thin small flat plastic package with visible leads.
- General purpose low-noise transistor
- Based on Infineon ́s reliable very high volume 25GHz silicon bipolar technology
- Popular in discrete oscillators
- Thin, small and flat with visible leads
- Halogen-free
技术规格
晶体管极性
NPN
过渡频率
25GHz
连续集电极电流
60mA
针脚数
4引脚
晶体管安装
表面安装
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
最大集电极发射电压
4.5V
功率耗散
210mW
晶体管封装类型
TSFP
直流电流增益, Hfe 最小值
60hFE
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000008