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BFP540FESDH6327XTSA1
晶体管 双极-射频, NPN, 4.5 V, 30 GHz, 250 mW, 80 mA, TSFP
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| 100+ | CNY2.560 (CNY2.8928) |
| 500+ | CNY2.290 (CNY2.5877) |
| 1000+ | CNY1.680 (CNY1.8984) |
| 3000+ | CNY1.500 (CNY1.695) |
| 9000+ | CNY1.500 (CNY1.695) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号BFP540FESDH6327XTSA1
库存编号2480670
也称为BFP 540FESD H6327, SP000745300
技术数据表
晶体管极性NPN
最大集电极发射电压4.5V
过渡频率30GHz
功率耗散250mW
连续集电极电流80mA
晶体管封装类型TSFP
针脚数4引脚
直流电流增益, Hfe 最小值50hFE
晶体管安装表面安装
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The BFP 540FESD H6327 is a low-noise Silicon Bipolar RF Transistor designed for high gain low-noise amplifier applications.
- Excellent ESD performance
- Halogen-free
技术规格
晶体管极性
NPN
过渡频率
30GHz
连续集电极电流
80mA
针脚数
4引脚
晶体管安装
表面安装
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
最大集电极发射电压
4.5V
功率耗散
250mW
晶体管封装类型
TSFP
直流电流增益, Hfe 最小值
50hFE
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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产品合规证书
重量（千克）：.000008