打印页面
图片仅用于图解说明,详见产品说明。
产品概述
- NPN silicon RF transistor for high gain low noise amplifiers
- For oscillators up to 10GHz
- Noise figure F = 1.1dB at 1.8GHz outstanding Gms = 21dB at 1.8GHz
- Transition frequency fT = 25GHz
- Gold metallization for high reliability
- SIEGET® 25GHz fT - line
- Qualified according AEC Q101
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
晶体管极性
NPN
过渡频率
25GHz
连续集电极电流
60mA
针脚数
4引脚
晶体管安装
表面安装
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
最大集电极发射电压
5V
功率耗散
210mW
晶体管封装类型
SOT-343
直流电流增益, Hfe 最小值
95hFE
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000307