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图片仅用于图解说明,详见产品说明。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号BFR182WH6327XTSA1
库存编号2480679
也称为BFR 182W H6327, SP000750420
技术数据表
晶体管极性NPN
最大集电极发射电压12V
过渡频率8GHz
功率耗散250mW
连续集电极电流35mA
晶体管封装类型SOT-323
针脚数3引脚
直流电流增益hFE最小值70hFE
晶体管安装表面安装
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The BFR 182W H6327 is a NPN low-noise Silicon Bipolar RF Transistor for low noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 1 to 20mA. The device is suitable for amplifier and oscillator applications in RF front-end.
- Halogen-free
技术规格
晶体管极性
NPN
过渡频率
8GHz
连续集电极电流
35mA
针脚数
3引脚
晶体管安装
表面安装
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
最大集电极发射电压
12V
功率耗散
250mW
晶体管封装类型
SOT-323
直流电流增益hFE最小值
70hFE
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000048