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BFR106E6327HTSA1
晶体管 双极-射频, NPN, 16 V, 5 GHz, 700 mW, 210 mA, SOT-23
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|---|---|
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| 50+ | CNY0.882 (CNY0.9967) |
| 250+ | CNY0.863 (CNY0.9752) |
| 1000+ | CNY0.845 (CNY0.9548) |
| 3000+ | CNY0.706 (CNY0.7978) |
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产品概述
- Low noise silicon bipolar RF transistor
- High linearity low noise RF transistor
- 22dBm OP1dB and 31dBm OIP3 at 900MHz, 8V, 70mA
- For UHF/VHF applications
- Driver for multistage amplifiers
- For linear broadband and antenna amplifiers
- Collector design supports 5V supply voltage
- Qualification report according to AEC-Q101
技术规格
晶体管极性
NPN
过渡频率
5GHz
连续集电极电流
210mA
针脚数
3引脚
晶体管安装
表面安装
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
最大集电极发射电压
16V
功率耗散
700mW
晶体管封装类型
SOT-23
直流电流增益, Hfe 最小值
70hFE
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000002