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BGA7H1N6E6327XTSA1
低噪声放大器，LTE，2.3 GHz 至 2.69 GHz，12.5 dB 增益，0.65 dB 噪声，1.5 V 至 3.3 V，TSNP-6
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| 100+ | CNY4.550 (CNY5.1415) |
| 500+ | CNY3.760 (CNY4.2488) |
| 1000+ | CNY2.980 (CNY3.3674) |
| 2500+ | CNY2.780 (CNY3.1414) |
| 5000+ | CNY2.640 (CNY2.9832) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号BGA7H1N6E6327XTSA1
库存编号2565692
也称为BGA 7H1N6 E6327, SP001109130
技术数据表
最低频率2.3GHz
最高频率2.69GHz
增益12.5dB
噪声系数典型值0.65dB
封装类型TSNP
针脚数6引脚
电源电压最小值1.5V
电源电压最大值3.3V
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
BGA7H1N6E6327XTSA1 is a silicon germanium low noise amplifier for LTE which covers a wide frequency range from 2300MHz to 2690MHz. The LNA provides a 12.5dB gain and 0.60dB noise figure at a current consumption of 4.7mA. The BGA7H1N6 is based upon Infineon Technologies‘ B7HF Silicon germanium technology.
- Digital on/off switch (1V logic high level)
- B7HF silicon germanium technology, RF output internally matched to 50 ohm
- Only 1 external SMD component necessary, 2KV HBM ESD protection (including AI-pin)
- Supply voltage range from 1.5 to 3.3V (A = 25°C, VCC = 1.8V)
- Noise figure is 0.65dB (typ, ZS = 50 ohm, TA = 25°C)
- Reverse isolation is 20dB (typ, TA = 25°C, VCC = 1.8V)
- Stability is <gt/> 1 (typ, f= 20MHz to 10GHz, TA = 25°C)
- Ultra small TSNP-6-2 leadless package
- Ambient temperature range from -40 to 85°C
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
最低频率
2.3GHz
增益
12.5dB
封装类型
TSNP
电源电压最小值
1.5V
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
最高频率
2.69GHz
噪声系数典型值
0.65dB
针脚数
6引脚
电源电压最大值
3.3V
工作温度最高值
85°C
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000008