打印页面
图片仅用于图解说明,详见产品说明。
制造商INFINEON
制造商产品编号BSB028N06NN3GXUMA1
库存编号2443367
产品范围OptiMOS 3 Series
也称为BSB028N06NN3 G, SP000605956
技术数据表
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号BSB028N06NN3GXUMA1
库存编号2443367
产品范围OptiMOS 3 Series
也称为BSB028N06NN3 G, SP000605956
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续90A
漏源接通状态电阻2800µohm
晶体管封装类型WDSON
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散78W
针脚数2引脚
工作温度最高值150°C
产品范围OptiMOS 3 Series
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (23-Jan-2024)
产品概述
The BSB028N06NN3 G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET perfect choice for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS). It can be used for a broad range of industrial applications including solar micro inverter and fast switching DC-to-DC converter.
- Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
- Very low ON-resistance RDS (ON)
- Ideal for fast switching applications
- Halogen-free, Green device
- Highest system efficiency
- Less paralleling required
- Increased power density
- Very low voltage overshoot
- Superior thermal resistance
- Dual sided cooling
- Low parasitic inductance
- Normal level
- 100% Avalanche tested
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Compatible with DirectFET® package MN foot-print and outline
- MSL1 rated
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
90A
晶体管封装类型
WDSON
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
78W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
2800µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
2引脚
产品范围
OptiMOS 3 Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.0003