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BSC010NE2LSIATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 25 V, 100 A, 0.00105 ohm, TDSON, 表面安装
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|---|---|
| 1+ | CNY12.790 (CNY14.4527) |
| 10+ | CNY9.710 (CNY10.9723) |
| 100+ | CNY7.570 (CNY8.5541) |
| 500+ | CNY7.330 (CNY8.2829) |
| 1000+ | CNY7.080 (CNY8.0004) |
| 5000+ | CNY6.840 (CNY7.7292) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号BSC010NE2LSIATMA1
库存编号2443417
也称为BSC010NE2LSI, SP000854376
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds25V
电流, Id 连续100A
漏源接通状态电阻0.00105ohm
晶体管封装类型TDSON
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2V
功率耗散96W
针脚数8引脚
工作温度最高值-
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
BSC010NE2LSI是一款N沟道功率MOSFET，具有降低功率损耗和提高所有负载条件下效率的特点。凭借新的OptiMOS™ 25V产品系列，Infineon在功率密度和能源效率以及系统级封装方面设立了新的标准。超低的栅极和输出电荷，加上小尺寸封装的最低导通电阻，使OptiMOS™ 25V成为满足稳压器解决方案应用的苛刻要求的最佳选择。
- 针对高性能降压转换器进行了优化
- 单片集成肖特基类二极管
- 非常低的导通电阻 RDS (ON) @ VGS = 4.5V
- 100%经过雪崩测试
- 目标应用符合JEDEC标准
- 无卤
- 减少了多相转换器中的相位数
- 绿色设备
- 用最小的封装（如CanPAK™）节省空间
- 最大限度地减少系统中的EMI，使外部缓冲器网络过时，产品易于设计
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
100A
晶体管封装类型
TDSON
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
96W
工作温度最高值
-
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
25V
漏源接通状态电阻
0.00105ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
8引脚
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
BSC010NE2LSIATMA1 的替代之选
找到 8 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0003