打印页面
图片仅用于图解说明,详见产品说明。
9,849 有货
需要更多?
9849 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
数量 | 价钱 (含税) |
---|---|
1+ | CNY15.960 (CNY18.0348) |
10+ | CNY12.000 (CNY13.560) |
100+ | CNY8.770 (CNY9.9101) |
500+ | CNY7.440 (CNY8.4072) |
1000+ | CNY7.130 (CNY8.0569) |
5000+ | CNY6.310 (CNY7.1303) |
包装规格:单件(切割供应)
最低: 1
多件: 1
CNY15.96 (CNY18.03 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品概述
BSC030P03NS3 G是一款P沟道OptiMOS™功率MOSFET,在电源系统设计的关键规格(如导通电阻和功率特性)方面始终满足最高质量和性能要求。它适用于DC-DC转换器、电动汽车、笔记本电脑和车载充电器应用。
- 增强模式
- 正常电平、逻辑电平或超逻辑电平
- 雪崩评级
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
100A
晶体管封装类型
TDSON
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
125W
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.003ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
BSC030P03NS3GAUMA1 的替代之选
找到 1 件产品
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.0003