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BSC031N06NS3GATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 100 A, 0.0031 ohm, TDSON, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY12.630 (CNY14.2719) |
| 50+ | CNY9.270 (CNY10.4751) |
| 250+ | CNY9.200 (CNY10.396) |
| 1000+ | CNY9.130 (CNY10.3169) |
| 3000+ | CNY9.060 (CNY10.2378) |
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产品概述
The BSC031N06NS3 G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET perfect choice for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS). It can be used for a broad range of industrial applications including solar micro inverter and fast switching DC-to-DC converter.
- Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
- Very low ON-resistance RDS (ON)
- Ideal for high frequency fast switching applications
- MSL1 rated
- Highest system efficiency
- Less paralleling required
- Increased power density
- Very low voltage overshoot
- Superior thermal resistance
- Logic level
- 100% Avalanche tested
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Green device
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
100A
晶体管封装类型
TDSON
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
139W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.0031ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
技术文档 (1)
BSC031N06NS3GATMA1 的替代之选
找到 8 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000195