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BSC047N08NS3GATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 80 V, 100 A, 0.0039 ohm, PG-TDSON, 表面安装
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|---|---|
| 1+ | CNY19.550 (CNY22.0915) |
| 10+ | CNY14.990 (CNY16.9387) |
| 100+ | CNY11.910 (CNY13.4583) |
| 500+ | CNY10.000 (CNY11.300) |
| 1000+ | CNY8.080 (CNY9.1304) |
| 5000+ | CNY7.870 (CNY8.8931) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号BSC047N08NS3GATMA1
库存编号1775444
也称为SP000436372
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds80V
电流, Id 连续100A
漏源接通状态电阻0.0039ohm
晶体管封装类型PG-TDSON
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.8V
功率耗散125W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
BSC047N08NS3 G是一款80V N沟道功率MOSFET, 可为高效率高功率密度SMPS提供解决方案OptiMOS™ MOSFET在同等电压级别内提供业界最低的RDS (on). 该器件非常适合高频开关应用, 以及用于DC-DC转换器的优化技术.
- 双面散热
- 低寄生电感
- 低轮廓（<lt/>0.7mm）
- 低开关与传导损耗
- 极低导通电阻RDS (on)
- 优秀的热阻
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
100A
晶体管封装类型
PG-TDSON
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
125W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
80V
漏源接通状态电阻
0.0039ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.8V
针脚数
8引脚
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000389