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BSC060P03NS3EGATMA1
功率场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 100 A, 0.0041 ohm, TDSON, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号BSC060P03NS3EGATMA1
库存编号2432709
也称为BSC060P03NS3E G, SP000472984
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续100A
漏源接通状态电阻0.0041ohm
晶体管封装类型TDSON
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.5V
功率耗散83W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
BSC060P03NS3E G是一款OptiMOS™ P沟道功率MOSFET, 设计用于满足电源系统设计的关键要求 (如导通电阻, 品质因数特性), 以保证最高的质量和性能。
- 增强模式
- 正常电平、逻辑电平或超逻辑电平
- 100%雪崩额定值
- 静电防护保护
- 目标应用符合JEDEC标准
- 无卤素, 绿色设备
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
100A
晶体管封装类型
TDSON
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
83W
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.0041ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
8引脚
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
BSC060P03NS3EGATMA1 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0005