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BSC067N06LS3GATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 50 A, 0.0054 ohm, SuperSOT, 表面安装
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|---|---|
| 5+ | CNY7.350 (CNY8.3055) |
| 50+ | CNY5.810 (CNY6.5653) |
| 250+ | CNY4.830 (CNY5.4579) |
| 1000+ | CNY3.600 (CNY4.068) |
| 3000+ | CNY3.530 (CNY3.9889) |
包装规格：单件（切割供应）
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号BSC067N06LS3GATMA1
库存编号2212831
也称为BSC067N06LS3 G, SP000451084
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续50A
漏源接通状态电阻0.0054ohm
晶体管封装类型SuperSOT
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.7V
功率耗散69W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
BSC067N06LS3 G是一款60V N沟道功率MOSFET, 适用于开关模式电源 (SMPS)内的同步整流, 例如服务器, 台式机和平板电脑充电器中. 降低了栅极电荷和输出电荷, 实现高系统效率和功率密度. OptiMOS™功率MOSFET非常适合高频开关和DC-DC转换器.
- 最高的系统效率
- 需要较少的并联
- 增加功率密度
- 节省空间
- 非常低的过冲电压
- 优秀的热阻
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
50A
晶体管封装类型
SuperSOT
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
69W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.0054ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.7V
针脚数
8引脚
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
BSC067N06LS3GATMA1 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0002