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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号BSC076N06NS3GATMA1
库存编号2443422
也称为BSC076N06NS3 G, SP000453656
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续50A
漏源接通状态电阻0.0062ohm
晶体管封装类型TDSON
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散69W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
BSC076N06NS3 G是一款OptiMOS™ N沟道功率MOSFET, 适用于开关模式电源 (SMPS)中同步整流应用. 可用于广泛的工业应用, 包括太阳能微逆变器, 快速开关DC-DC转换器等.
- 优秀的栅极电荷 x RDS (ON)产品 (FOM)
- 极低导通电阻RDS (on)
- 非常适合快速开关应用
- MSL1级别
- 最高的系统效率
- 需要较少的并联
- 增加功率密度
- 非常低的过冲电压
- 优秀的热阻
- 正常电平
- 100%经过雪崩测试
- 目标应用符合JEDEC标准
- 无卤素, 绿色设备
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
50A
晶体管封装类型
TDSON
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
69W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.0062ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
8引脚
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
BSC076N06NS3GATMA1 的替代之选
找到 1 件产品
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.0003