打印页面
BSC077N12NS3GATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 120 V, 98 A, 0.0077 ohm, TDSON, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号BSC077N12NS3GATMA1
库存编号2432710RL
也称为BSC077N12NS3 G, SP000652750
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds120V
电流, Id 连续98A
漏源接通状态电阻0.0077ohm
晶体管封装类型TDSON
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散139W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
BSC077N12NS3 G是一款OptiMOS™ N沟道功率MOSFET，同时具有业界最低的导通电阻和最快的开关行为，可以在广泛的应用中实现出色的性能。120V OptiMOS™技术为优化解决方案提供了新的可能性。
- 优秀的开关性能
- 业界最低的RDS (ON)
- 极低的Qg与Qgd
- 优秀的栅极电荷 x RDS (ON)产品 (FOM)
- 环保型
- 高效能
- 高功率密度
- 需要较少的并联
- 占用极小的电路板空间
- 产品易于设计
- 目标应用符合JEDE标准
- 无卤素, 绿色设备
- 适用于高频开关和同步整流应用
- 正常电平
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
98A
晶体管封装类型
TDSON
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
139W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
120V
漏源接通状态电阻
0.0077ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000156