打印页面
BSC084P03NS3GATMA1
功率场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 78.6 A, 0.0061 ohm, TDSON, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号BSC084P03NS3GATMA1
库存编号2709895RL
产品范围OptiMOS P3
也称为BSC084P03NS3 G, SP000473020
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续78.6A
漏源接通状态电阻0.0061ohm
晶体管封装类型TDSON
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.5V
功率耗散69W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围OptiMOS P3
合规AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
- Optima's ™ P3 power transistor
- Single P channel, enhancement mode
- Qualified according to JEDEC for target applications
- 100% avalanche tested
- Specially suitable for notebook applications (Vgs = 25V)
- Applications include battery management and load switching
- Normal level, logic level or super logic level
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
78.6A
晶体管封装类型
TDSON
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
69W
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.0061ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
8引脚
产品范围
OptiMOS P3
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000157