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BSC0921NDIATMA1
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 0.0039 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号BSC0921NDIATMA1
库存编号2726088
产品范围OptiMOS Series
也称为BSC0921NDI, SP000934748
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道40A
连续漏极电流 Id P沟道40A
漏源通态电阻N沟道0.0039ohm
漏源导通电阻P沟道0.0039ohm
晶体管封装类型TISON
针脚数8引脚
耗散功率N沟道2.5W
耗散功率P沟道2.5W
工作温度最高值150°C
产品范围OptiMOS Series
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
- Dual N-channel OptiMOS™ MOSFET
- Optimized for high performance buck converter
- Logic level (4.5V rated)
- N-channel
- Qualified according to JEDEC for target applications
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
40A
漏源导通电阻P沟道
0.0039ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
2.5W
产品范围
OptiMOS Series
MSL
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
40A
漏源通态电阻N沟道
0.0039ohm
晶体管封装类型
TISON
耗散功率N沟道
2.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0005