打印页面
BSC0923NDIATMA1
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 3.8 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
4,435 有货
需要更多？
4435 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY9.220 (CNY10.4186) |
| 10+ | CNY8.070 (CNY9.1191) |
| 25+ | CNY6.390 (CNY7.2207) |
| 50+ | CNY5.200 (CNY5.876) |
| 100+ | CNY4.240 (CNY4.7912) |
| 500+ | CNY3.830 (CNY4.3279) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY9.22 (CNY10.42 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号BSC0923NDIATMA1
库存编号2726089
产品范围OptiMOS Series
也称为BSC0923NDI, SP000934758
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道40A
连续漏极电流 Id P沟道40A
漏源通态电阻N沟道3.8ohm
漏源导通电阻P沟道3.8ohm
晶体管封装类型TISON
针脚数8引脚
耗散功率N沟道2.5W
耗散功率P沟道2.5W
工作温度最高值150°C
产品范围OptiMOS Series
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
40A
漏源导通电阻P沟道
3.8ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
2.5W
产品范围
OptiMOS Series
MSL
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
40A
漏源通态电阻N沟道
3.8ohm
晶体管封装类型
TISON
耗散功率N沟道
2.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0005