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BSC112N06LDATMA1
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0095 ohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY13.740 (CNY15.5262) |
| 10+ | CNY9.630 (CNY10.8819) |
| 100+ | CNY6.820 (CNY7.7066) |
| 500+ | CNY5.430 (CNY6.1359) |
| 1000+ | CNY4.620 (CNY5.2206) |
| 5000+ | CNY4.230 (CNY4.7799) |
包装规格：单件（切割供应）
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号BSC112N06LDATMA1
库存编号3577276
也称为BSC112N06LD, SP002594372
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压Vds P沟道60V
连续漏极电流 Id N沟道20A
连续漏极电流 Id P沟道20A
漏源通态电阻N沟道0.0095ohm
漏源导通电阻P沟道0.0095ohm
晶体管封装类型TDSON
针脚数8引脚
耗散功率N沟道65W
耗散功率P沟道65W
工作温度最高值175°C
产品范围OptiMOS-T2 Series
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id P沟道
20A
漏源导通电阻P沟道
0.0095ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
65W
产品范围
OptiMOS-T2 Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
20A
漏源通态电阻N沟道
0.0095ohm
晶体管封装类型
TDSON
耗散功率N沟道
65W
工作温度最高值
175°C
合规
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000209