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BSC120N03MSGATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 39 A, 0.012 ohm, PG-TDSON, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 100+ | CNY2.810 (CNY3.1753) |
| 500+ | CNY2.350 (CNY2.6555) |
| 1000+ | CNY1.890 (CNY2.1357) |
| 5000+ | CNY1.810 (CNY2.0453) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号BSC120N03MSGATMA1
库存编号1775468
也称为BSC120N03MS G, SP000311516
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续39A
漏源接通状态电阻0.012ohm
晶体管封装类型PG-TDSON
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1V
功率耗散28W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The BSC120N03MS G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET sets new standards in power density and energy efficiency. It is tailored to the needs of power management by improved EMI behaviour, as well as increased battery life. It is available in half-bridge configuration.
- Easy to design in
- Increased battery lifetime
- Improved EMI behaviour making external snubber networks obsolete
- Saving space
- Reducing power losses
- Fast switching MOSFET for SMPS
- Optimized for 5V driver application
- Low FOMSW for high frequency SMPS
- 100% Avalanche tested
- Very low ON-resistance RDS (ON) @ VGS = 4.5V
- Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Superior thermal resistance
- Halogen-free, Green device
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
39A
晶体管封装类型
PG-TDSON
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
28W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.012ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
8引脚
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
BSC120N03MSGATMA1 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000605