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BSC123N08NS3GATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 80 V, 55 A, 0.0123 ohm, PG-TDSON, 表面安装
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|---|---|
| 1+ | CNY11.040 (CNY12.4752) |
| 10+ | CNY7.060 (CNY7.9778) |
| 100+ | CNY5.560 (CNY6.2828) |
| 500+ | CNY4.480 (CNY5.0624) |
| 1000+ | CNY3.800 (CNY4.294) |
| 5000+ | CNY3.550 (CNY4.0115) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号BSC123N08NS3GATMA1
库存编号1775469
也称为BSC123N08NS3 G, SP000443916
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds80V
电流, Id 连续55A
漏源接通状态电阻0.0123ohm
晶体管封装类型PG-TDSON
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.8V
功率耗散66W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
BSC123N08NS3 G是一款N沟道功率MOSFET, 采用高性能基准OptiMOS™技术. 适用于发电, 电源和功耗应用.
- 针对DC-DC转换器进行了优化
- 优秀的栅极电荷 x RDS (ON)产品 (FOM)
- 优秀的热阻
- 双面散热
- 低寄生电感
- 薄型
- 正常电平
- 100％经过雪崩测试
- 目标应用符合JEDEC标准
- 无卤素, 绿色设备
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
55A
晶体管封装类型
PG-TDSON
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
66W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
80V
漏源接通状态电阻
0.0123ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.8V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000172