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| 50+ | CNY13.890 (CNY15.6957) |
| 250+ | CNY13.120 (CNY14.8256) |
| 1000+ | CNY12.360 (CNY13.9668) |
| 3000+ | CNY11.590 (CNY13.0967) |
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产品概述
The BSC13DN30NSFDATMA1 from Infineon is a 300V OptiMOST™3 N-channel power MOSFET in 8 pin TDSON package. This new OptiMOS™ Fast Diode (FD) Infineon’s latest generation power MOSFETs are optimized for body diode hard commutation, hard switching behaviour, industry’s lowest Rds(on), Qg and Qrr, highest system reliability, system cost reduction, highest efficiency and power density and easy to design products. It is a perfect choice for hard switching applications such as telecom, industrial power supplies, Class D audio amplifiers, motor control for 48V to 110V systems and DC to AC inverter.
- Excellent gate charge x RDS(on) product (figure of merit)
- Very low on-resistance RDS(on)
- Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification
- Drain source voltage VDS is 300V
- Maximum RDS(on) is 130mohm, continuous drain current ID is 16A
- Operating temperature range from -55°C to 175°C
- Power dissipation is 150W
- Maximum gate source voltage VGS is 20V
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
16A
晶体管封装类型
TDSON
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
150W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
300V
漏源接通状态电阻
0.114ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
8引脚
产品范围
OptiMOS
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000152