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BSC150N03LDGATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 20 A, 0.0125 ohm, PG-TDSON, 表面安装
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| 10+ | CNY5.470 (CNY6.1811) |
| 100+ | CNY3.740 (CNY4.2262) |
| 500+ | CNY3.130 (CNY3.5369) |
| 1000+ | CNY3.090 (CNY3.4917) |
| 5000+ | CNY3.040 (CNY3.4352) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号BSC150N03LDGATMA1
库存编号1775471
也称为BSC150N03LD G, SP000359362
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续20A
漏源接通状态电阻0.0125ohm
晶体管封装类型PG-TDSON
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1V
功率耗散26W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The BSC150N03LD G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET sets new standards in power density and energy efficiency. It is tailored to the needs of power management by improved EMI behaviour, as well as increased battery life. It is available in half-bridge configuration.
- Easy to design in
- Increased battery lifetime
- Improved EMI behaviour making external snubber networks obsolete
- Saving space
- Reducing power losses
- Dual N-channel, logic level
- Fast switching MOSFETs for SMPS
- Optimized technology for DC-to-DC converters
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
- Very low ON-resistance RDS (ON)
- Superior thermal resistance
- 100% Avalanche tested
- Halogen-free, Green device
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
20A
晶体管封装类型
PG-TDSON
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
26W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.0125ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
8引脚
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000154