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BSC196N10NSGATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 45 A, 0.0196 ohm, PG-TDSON, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY10.460 (CNY11.8198) |
| 10+ | CNY7.300 (CNY8.249) |
| 100+ | CNY5.100 (CNY5.763) |
| 500+ | CNY4.060 (CNY4.5878) |
| 1000+ | CNY3.890 (CNY4.3957) |
| 5000+ | CNY3.720 (CNY4.2036) |
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最低: 1
多件: 1
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产品概述
The BSC196N10NS G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET offers superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both RDS (ON) and FOM.
- Excellent switching performance
- World's lowest RDS (ON)
- Very low Qg and Qgd
- Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
- Environmentally friendly
- Increased efficiency
- Highest power density
- Less paralleling required
- Smallest board-space consumption
- Easy-to-design products
- Halogen-free
- MSL1 rated 2
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
45A
晶体管封装类型
PG-TDSON
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
78W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.0196ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000188