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BSC196N10NSGATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 45 A, 0.0196 ohm, PG-TDSON, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY11.210 (CNY12.6673) |
| 10+ | CNY7.860 (CNY8.8818) |
| 100+ | CNY5.720 (CNY6.4636) |
| 500+ | CNY4.520 (CNY5.1076) |
| 1000+ | CNY3.820 (CNY4.3166) |
| 5000+ | CNY3.680 (CNY4.1584) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号BSC196N10NSGATMA1
库存编号1775474
也称为BSC196N10NS G, SP000379604
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续45A
漏源接通状态电阻0.0196ohm
晶体管封装类型PG-TDSON
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散78W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
BSC196N10NSGATMA1 的替代之选
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产品概述
The BSC196N10NS G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET offers superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both RDS (ON) and FOM.
- Excellent switching performance
- World's lowest RDS (ON)
- Very low Qg and Qgd
- Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
- Environmentally friendly
- Increased efficiency
- Highest power density
- Less paralleling required
- Smallest board-space consumption
- Easy-to-design products
- Halogen-free
- MSL1 rated 2
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
45A
晶体管封装类型
PG-TDSON
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
78W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.0196ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000188