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BSC320N20NS3GATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 200 V, 36 A, 0.027 ohm, TDSON, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY14.990 (CNY16.9387) |
| 50+ | CNY11.910 (CNY13.4583) |
| 250+ | CNY10.000 (CNY11.300) |
| 1000+ | CNY9.140 (CNY10.3282) |
| 3000+ | CNY8.280 (CNY9.3564) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 5
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号BSC320N20NS3GATMA1
库存编号2432712
也称为BSC320N20NS3 G, SP000676410
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds200V
电流, Id 连续36A
漏源接通状态电阻0.027ohm
晶体管封装类型TDSON
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散125W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
BSC320N20NS3 G是一款200V N沟道功率MOSFET，非常适合用于高频开关，在AC-DC SMPS的同步整流和电机控制等应用中实现了出色的性能。OptiMOS™ MOSFET针对硬式整流坚固性进行了优化，实现了低Qrr和较低的峰值反向恢复电荷。它是性能领先的基准技术，完全适用于48V系统的同步整流、直流-直流转换器、不间断电源（UPS）和直流电机驱动的逆变器。
- 高效率
- 高功率密度
- 最低的板空间消耗
- 需要最少的设备并联
- 系统成本提升
- 环保型
- 易于设计
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
36A
晶体管封装类型
TDSON
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
125W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
200V
漏源接通状态电阻
0.027ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
8引脚
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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产品合规证书
重量（千克）：.000181