打印页面
6,916 有货
需要更多？
2350 件可于下一个工作日送达(Shanghai 库存)
1379 件可于 3-4 个工作日内送达(新加坡 库存)
3187 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 50+ | CNY13.010 (CNY14.7013) |
| 250+ | CNY12.260 (CNY13.8538) |
| 1000+ | CNY11.500 (CNY12.995) |
| 3000+ | CNY10.740 (CNY12.1362) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 100
多件: 5
CNY1,301.00 (CNY1,470.13 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品概述
Infineon的BSC350N20NSFDATMA1是一款200V OptiMOST™3 N沟道功率MOSFET，采用8引脚TDSON封装。这款新的OptiMOS™快速二极管（FD）最新一代功率MOSFET针对体二极管硬换向、硬开关行为进行了优化，具有业界最低的Rds(on)、Qg和Qrr，系统可靠性最高，系统成本降低，效率和功率密度达到最高，且产品易于设计。它是硬开关应用的完美选择，如电信、工业电源、D类音频放大器、48V至110V系统的电机控制和直流至交流变频器。
- 优秀的栅极电荷x RDS(on)乘积(品质因数)
- 极低导通电阻RDS (on)
- 适用于高频开关和同步整流应用
- 漏源电压VDS为200V
- 最大RDS(on)为35mohm，连续漏极电流ID为35A
- 工作温度范围: -55°C到175°C
- 功耗: 150W
- 最大栅极源电压VGS为20V
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
35A
晶体管封装类型
TDSON
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
150W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
200V
漏源接通状态电阻
0.031ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
8引脚
产品范围
OptiMOS
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.004536