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BSD235CH6327XTSA1
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 20 V, 20 V, 950 mA, 950 mA, 0.266 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号BSD235CH6327XTSA1
库存编号2443476RL
也称为BSD235C H6327, SP000917610
技术数据表
晶体管极性互补N与P沟道
通道类型互补N与P沟道
漏源电压, Vds20V
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道20V
电流, Id 连续950mA
连续漏极电流 Id N沟道950mA
在电阻RDS（上）0.266ohm
连续漏极电流 Id P沟道950mA
漏源通态电阻N沟道0.266ohm
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
漏源导通电阻P沟道0.266ohm
晶体管封装类型SOT-363
阈值栅源电压最大值950mV
功耗 Pd500mW
针脚数6引脚
耗散功率N沟道500mW
耗散功率P沟道500mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
汽车质量标准AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The BSD235C H6327 is a N/P-channel Power MOSFET within the same package are part of Infineon's famous low voltage OptiMOS™ families, the market leader in high efficiency solutions for power generation (e.g. solar micro inverter), power supply (e.g. server and telecom) and power consumption (e.g. electric vehicle). It is suitable for use with DC to Dc converters and on-board charger applications.
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
晶体管极性
互补N与P沟道
漏源电压, Vds
20V
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
950mA
连续漏极电流 Id P沟道
950mA
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.266ohm
阈值栅源电压最大值
950mV
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
500mW
产品范围
-
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道
20V
电流, Id 连续
950mA
在电阻RDS（上）
0.266ohm
漏源通态电阻N沟道
0.266ohm
Rds(on)测试电压
4.5V
晶体管封装类型
SOT-363
功耗 Pd
500mW
耗散功率N沟道
500mW
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000005