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BSG0811NDATMA1
双路场效应管, MOSFET, N通道, 25 V, 25 V, 50 A, 50 A, 0.0024 ohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY17.410 (CNY19.6733) |
| 10+ | CNY12.780 (CNY14.4414) |
| 100+ | CNY9.940 (CNY11.2322) |
| 500+ | CNY8.000 (CNY9.040) |
| 1000+ | CNY7.430 (CNY8.3959) |
| 5000+ | CNY6.850 (CNY7.7405) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号BSG0811NDATMA1
库存编号2726090
产品范围OptiMOS 5 Series
也称为BSG0811ND, SP001075902
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道25V
漏源电压Vds P沟道25V
连续漏极电流 Id N沟道50A
连续漏极电流 Id P沟道50A
漏源通态电阻N沟道0.0024ohm
漏源导通电阻P沟道0.0024ohm
晶体管封装类型TISON
针脚数8引脚
耗散功率N沟道6.25W
耗散功率P沟道6.25W
工作温度最高值150°C
产品范围OptiMOS 5 Series
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
25V
连续漏极电流 Id P沟道
50A
漏源导通电阻P沟道
0.0024ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
6.25W
产品范围
OptiMOS 5 Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
25V
连续漏极电流 Id N沟道
50A
漏源通态电阻N沟道
0.0024ohm
晶体管封装类型
TISON
耗散功率N沟道
6.25W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0005