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BSO150N03MDGXUMA1
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.0125 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号BSO150N03MDGXUMA1
库存编号2480752RL
也称为BSO150N03MD G, SP000447476
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds N沟道30V
电流, Id 连续8A
漏源电压Vds P沟道30V
在电阻RDS（上）0.0125ohm
连续漏极电流 Id N沟道8A
连续漏极电流 Id P沟道8A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.0125ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道0.0125ohm
晶体管封装类型SOIC
阈值栅源电压最大值2V
针脚数8引脚
功耗 Pd1.4W
耗散功率N沟道1.4W
耗散功率P沟道1.4W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The BSO150N03MD G is a dual N-channel MOSFET optimized for 5V driver application (notebook, VGA and POL) and qualified for consumer level application. The ultra low gate and output charge, together with lowest ON-state resistance in small footprint packages make OptiMOS™ power MOSFETs the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in server, data-com and telecom applications.
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
30V
电流, Id 连续
8A
在电阻RDS（上）
0.0125ohm
连续漏极电流 Id P沟道
8A
漏源通态电阻N沟道
0.0125ohm
漏源导通电阻P沟道
0.0125ohm
阈值栅源电压最大值
2V
功耗 Pd
1.4W
耗散功率P沟道
1.4W
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
8A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
SOIC
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
1.4W
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0005