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BSO615NGXUMA1
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.12 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号BSO615NGXUMA1
库存编号3514403RL
产品范围SIPMOS Series
也称为BSO615N G, SP005353857
技术数据表
通道类型N通道
晶体管极性N沟道
漏源电压, Vds60V
漏源电压Vds N沟道60V
电流, Id 连续2.6A
漏源电压Vds P沟道60V
在电阻RDS（上）0.12ohm
连续漏极电流 Id N沟道2.6A
连续漏极电流 Id P沟道2.6A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.12ohm
Rds(on)测试电压4.5V
漏源导通电阻P沟道0.12ohm
晶体管封装类型SOIC
阈值栅源电压最大值1.6V
功耗 Pd2W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道2W
耗散功率P沟道2W
工作温度最高值150°C
产品范围SIPMOS Series
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2018)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
60V
电流, Id 连续
2.6A
在电阻RDS（上）
0.12ohm
连续漏极电流 Id P沟道
2.6A
漏源通态电阻N沟道
0.12ohm
漏源导通电阻P沟道
0.12ohm
阈值栅源电压最大值
1.6V
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
2W
产品范围
SIPMOS Series
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2018)
晶体管极性
N沟道
漏源电压Vds N沟道
60V
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
2.6A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
4.5V
晶体管封装类型
SOIC
功耗 Pd
2W
耗散功率N沟道
2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0005