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BSP125H6433XTMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品概述
- 600V, 0.12A SIPMOS® N-channel power transistor in 4 pin SOT-223 package
- Enhancement mode
- Logic level
- dv/dt rated
- Qualified according to AEC Q101
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
120mA
晶体管封装类型
SOT-223
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1.8W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
600V
漏源接通状态电阻
45ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.9V
针脚数
4引脚
产品范围
SIPMOS
MSL
MSL 1 -无限制
BSP125H6433XTMA1 的替代之选
找到 3 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000256