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BSS126H6906XTSA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 600 V, 21 mA, 500 ohm, SOT-23, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY4.240 (CNY4.7912) |
| 50+ | CNY2.890 (CNY3.2657) |
| 250+ | CNY2.410 (CNY2.7233) |
| 1000+ | CNY1.820 (CNY2.0566) |
| 22500+ | CNY1.790 (CNY2.0227) |
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最低: 5
多件: 5
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号BSS126H6906XTSA1
库存编号2432715
也称为BSS126 H6906, SP000705716
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds600V
电流, Id 连续21mA
漏源接通状态电阻500ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2V
功率耗散500mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
BSS126H6906XTSA1 的替代之选
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产品概述
The BSS126 H6906 is a N-channel depletion-mode SIPMOS® Small-Signal-Transistor with 600VDS drain source voltage. Areas of application include power supply start-up power, overvoltage protection, in-rush-current limiter, off-line voltage reference. Also suitable for automotive applications.
- dV/dt rated
- Pb-free lead plating
- Qualified according to AEC Q101
- Halogen-free
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
21mA
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
500mW
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
600V
漏源接通状态电阻
500ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000006