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BSS131H6327XTSA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 240 V, 110 mA, 7.7 ohm, SOT-23, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY2.400 (CNY2.712) |
| 50+ | CNY1.360 (CNY1.5368) |
| 250+ | CNY0.912 (CNY1.0306) |
| 1000+ | CNY0.532 (CNY0.6012) |
| 5000+ | CNY0.425 (CNY0.4802) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号BSS131H6327XTSA1
库存编号2432716
也称为BSS131 H6327, SP000702620
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds240V
电流, Id 连续110mA
漏源接通状态电阻7.7ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.4V
功率耗散360mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The BSS131 H6327 is a N-channel Small Signal MOSFET qualified according to AEC-Q101 standard.
- Enhancement-mode
- Avalanche rated
- Super logic level
- dV/dt Rated
- Green device
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
110mA
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
360mW
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
240V
漏源接通状态电阻
7.7ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000454