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BSS806NEH6327XTSA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 2.3 A, 0.057 ohm, SOT-23, 表面安装
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|---|---|
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| 500+ | CNY0.726 (CNY0.8204) |
| 1500+ | CNY0.712 (CNY0.8046) |
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产品概述
- N-channel Optima's™-2 small signal transistor
- Enhancement mode
- Ultra-logic level (1.8V rated)
- ESD protected
- Avalanche rated
- Qualified according to AEC Q101
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
2.3A
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
2.5V
功率耗散
500mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.057ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
550mV
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
BSS806NEH6327XTSA1 的替代之选
找到 3 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000008