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图片仅用于图解说明,详见产品说明。
产品概述
BSS83P H6327是一款OptiMOS™ P沟道功率MOSFET, 设计用于满足电源系统设计的关键要求 (如导通电阻, 品质因数特性), 以保证最高的质量和性能.
- 增强模式
- 雪崩级别
- 小型信号封装, 已通过AEC-Q101认证
- 逻辑电平
- dV/dt额定值
- 无卤素, 绿色设备
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
330mA
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
360mW
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
2ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.0005