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BSS83PH6327XTSA1
功率场效应管, MOSFET, P通道, 60 V, 330 mA, 1.4 ohm, SOT-23, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY2.670 (CNY3.0171) |
| 50+ | CNY1.510 (CNY1.7063) |
| 250+ | CNY1.010 (CNY1.1413) |
| 1000+ | CNY0.666 (CNY0.7526) |
| 5000+ | CNY0.531 (CNY0.600) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 5
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号BSS83PH6327XTSA1
库存编号2432722
也称为BSS83P H6327, SP000702486
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续330mA
漏源接通状态电阻1.4ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.5V
功率耗散360mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
BSS83P H6327是一款OptiMOS™ P沟道功率MOSFET, 设计用于满足电源系统设计的关键要求 (如导通电阻, 品质因数特性), 以保证最高的质量和性能.
- 增强模式
- 雪崩级别
- 小型信号封装, 已通过AEC-Q101认证
- 逻辑电平
- dV/dt额定值
- 无卤素, 绿色设备
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
330mA
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
360mW
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
1.4ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0005