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BSS84PH6327XTSA2
功率场效应管, MOSFET, P通道, 60 V, 170 mA, 8 ohm, SOT-23, 表面安装
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| 250+ | CNY0.633 (CNY0.7153) |
| 1000+ | CNY0.306 (CNY0.3458) |
| 9000+ | CNY0.272 (CNY0.3074) |
| 18000+ | CNY0.259 (CNY0.2927) |
| 45000+ | CNY0.257 (CNY0.2904) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号BSS84PH6327XTSA2
库存编号1056526
产品范围SIPMOS Series
也称为BSS84P H6327, SP000929186
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续170mA
漏源接通状态电阻8ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.5V
功率耗散360mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围SIPMOS Series
合规AEC-Q101
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
Infineon公司的BSS84P H6327是一款表面安装, P沟道逻辑电平增强型SIPMOS小信号晶体管, SOT-23封装. 该器件具有dv/dt与Avalanche评级.
- 车用级别AEC-Q101合规
- 漏-源电压(Vds): -60V
- 栅-源电压: ±20V
- 连续漏极电流(ld): -170mA
- 功率耗散: 360mW
- 运行温度范围-55°C至150°C
- Vgs -4.5V时, 8ohm低导通电阻
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
170mA
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
360mW
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
8ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.5V
针脚数
3引脚
产品范围
SIPMOS Series
MSL
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000033