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产品概述
- OptiMOS™5 power transistor MOSFET
- Ideal for high frequency switching and synchronous rectification
- Optimized technology for DC/DC converters
- Excellent gate charger X RDS (on) product (FOM)
- Very low on-resistance RDS(on)
- N-channel, logic level, 100% avalanche tested
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Higher solder joint reliability with enlarger source information
- 80V minimum drain-source breakdown voltage (VGS=0V, ID=1mA)
- PG-TSDSON-8-FL package, operating and storage temperature range from -55 to 150°C
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
74A
晶体管封装类型
TSDSON-FL
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
69W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
80V
漏源接通状态电阻
7000µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.3V
针脚数
8引脚
产品范围
OptiMOS 5
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000068