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图片仅用于图解说明,详见产品说明。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号BSZ0909NDXTMA1
库存编号2771840
也称为BSZ0909ND, SP001637282
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道20A
连续漏极电流 Id P沟道20A
晶体管封装类型WISON
针脚数8引脚
耗散功率N沟道17W
耗散功率P沟道17W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
产品概述
The BSZ0909NDXTMA1 from Infineon is a dual N-channel OptiMOS™ MOSFET in 8 pin WISON package. The OptiMOS™ technology combined with the PQFN 3x3 package offers an optimized solution for DC to DC applications with space critical requirements. The BSZ0909ND fits perfectly in wireless charging or drives (e.g. multicopter) architectures where designers target to simplify the layout and significantly save space without compromising on efficiency.
- Enhancement mode
- Logic level (4.5V rated)
- Avalanche rated
- Low switching losses
- High switching frequency operation
- Lowest parasitics
- Low gate drive losses
- Drain source voltage VDS is 30V, maximum RDS(on) is 18mohm, continuous drain current ID is 20A
- Operating temperature range from -55°C to 150°C
- Power dissipation is 17W at TC=25°C
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
20A
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
17W
产品范围
-
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
20A
晶体管封装类型
WISON
耗散功率N沟道
17W
工作温度最高值
150°C
合规
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.0003