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BSZ097N04LSGATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 40 A, 0.0097 ohm, PG-TSDSON, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
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| 10+ | CNY5.490 (CNY6.2037) |
| 100+ | CNY3.630 (CNY4.1019) |
| 500+ | CNY2.880 (CNY3.2544) |
| 1000+ | CNY2.340 (CNY2.6442) |
| 5000+ | CNY2.240 (CNY2.5312) |
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产品概述
BSZ097N04LS G是一款OptiMOS™ N沟道功率MOSFET, 适用于开关模式电源 (SMPS)中同步整流应用. 可用于广泛的工业应用, 包括快速开关DC-DC转换器等.
- 优秀的栅极电荷 x RDS (ON)产品 (FOM)
- 极低导通电阻RDS (on)
- 非常适合快速开关应用
- MSL1级别
- 最高的系统效率
- 增加功率密度
- 非常低的过冲电压
- 逻辑电平
- 优秀的热阻
- 100%经过雪崩测试
- 无卤素, 绿色设备
- 目标应用符合JEDEC标准
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
40A
晶体管封装类型
PG-TSDSON
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
35W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
0.0097ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.2V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
BSZ097N04LSGATMA1 的替代之选
找到 1 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000151