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BSZ100N06LS3GATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 20 A, 0.008 ohm, PG-TSDSON, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商INFINEON
制造商产品编号BSZ100N06LS3GATMA1
库存编号2212836
产品范围OptiMOS Series
也称为BSZ100N06LS3 G, SP000453672
技术数据表
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY9.040 (CNY10.2152) |
| 10+ | CNY6.300 (CNY7.119) |
| 100+ | CNY4.900 (CNY5.537) |
| 500+ | CNY4.160 (CNY4.7008) |
| 1000+ | CNY3.190 (CNY3.6047) |
| 5000+ | CNY3.080 (CNY3.4804) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY9.04 (CNY10.22 含税)
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号BSZ100N06LS3GATMA1
库存编号2212836
产品范围OptiMOS Series
也称为BSZ100N06LS3 G, SP000453672
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续20A
漏源接通状态电阻0.008ohm
晶体管封装类型PG-TSDSON
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.7V
功率耗散50W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围OptiMOS Series
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
BSZ100N06LS3 G是一款60V N沟道功率MOSFET, 适用于开关模式电源 (SMPS)内的同步整流, 例如服务器, 台式机和平板电脑充电器中。降低了栅极电荷和输出电荷, 实现高系统效率和功率密度。OptiMOS™功率MOSFET非常适合高频开关和DC-DC转换器。
- 最高的系统效率
- 需要较少的并联
- 增加功率密度
- 非常低的过冲电压
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
20A
晶体管封装类型
PG-TSDSON
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
50W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.008ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.7V
针脚数
8引脚
产品范围
OptiMOS Series
MSL
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000076