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BSZ123N08NS3GATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 80 V, 40 A, 0.0103 ohm, PG-TSDSON, 表面安装
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| 10+ | CNY7.720 (CNY8.7236) |
| 100+ | CNY6.010 (CNY6.7913) |
| 500+ | CNY5.090 (CNY5.7517) |
| 1000+ | CNY3.910 (CNY4.4183) |
| 5000+ | CNY3.730 (CNY4.2149) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号BSZ123N08NS3GATMA1
库存编号1775505
也称为BSZ123N08NS3 G, SP000443632
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds80V
电流, Id 连续40A
漏源接通状态电阻0.0103ohm
晶体管封装类型PG-TSDSON
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.8V
功率耗散66W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
BSZ123N08NS3 G是一款80V N沟道功率MOSFET，为发电（如太阳能微型逆变器）、供电（如服务器和电信）和耗电（如电动汽车）提供高效的解决方案。OptiMOS™ MOSFET在各电压等级中提供业界最低的RDS（导通）。它非常适用于高频开关应用和DC-DC转换器的优化技术。
- 双面散热
- 低寄生电感
- 低轮廓（<lt/>0.7mm）
- 低开关与传导损耗
- 优秀的热阻
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
40A
晶体管封装类型
PG-TSDSON
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
66W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
80V
漏源接通状态电阻
0.0103ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.8V
针脚数
8引脚
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00014