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BSZ520N15NS3GATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 150 V, 21 A, 0.042 ohm, PG-TSDSON, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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|---|---|
| 1+ | CNY11.620 (CNY13.1306) |
| 10+ | CNY8.830 (CNY9.9779) |
| 100+ | CNY6.840 (CNY7.7292) |
| 500+ | CNY5.800 (CNY6.554) |
| 1000+ | CNY5.280 (CNY5.9664) |
| 5000+ | CNY4.480 (CNY5.0624) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号BSZ520N15NS3GATMA1
库存编号2212823
也称为BSZ520N15NS3 G, SP000607022
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds150V
电流, Id 连续21A
漏源接通状态电阻0.042ohm
晶体管封装类型PG-TSDSON
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散57W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
BSZ520N15NS3 G是一款OptiMOS™ N沟道功率MOSFET, 非常适用于高频率开关与同步整流. 与竞争产品相比, 该器件的RDS (ON)降低了40％, 品质因数 (FOM)降低了45％. 这些特性的改进开辟了新的可能性, 例如从引线封装转变为SMD封装, 或者用一个OptiMOS™部件替换两个旧部件.
- 优秀的开关性能
- 业界最低的RDS (ON)
- 超低Qg与Qgd
- 优秀的栅极电荷 x RDS (ON)产品 (FOM)
- MSL1 rated 2
- 高效能
- 高功率密度
- 需要较少的并联
- 占用极小的电路板空间
- 产品易于设计
- 针对DC-DC转换进行了优化
- 目标应用符合JEDEC标准
- 无卤素, 绿色设备
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
21A
晶体管封装类型
PG-TSDSON
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
57W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
150V
漏源接通状态电阻
0.042ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
8引脚
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000075