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BSZ900N15NS3GATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 150 V, 13 A, 0.074 ohm, TSDSON, 表面安装
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|---|---|
| 5+ | CNY7.350 (CNY8.3055) |
| 50+ | CNY5.720 (CNY6.4636) |
| 250+ | CNY4.850 (CNY5.4805) |
| 1000+ | CNY3.350 (CNY3.7855) |
| 3000+ | CNY3.240 (CNY3.6612) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号BSZ900N15NS3GATMA1
库存编号2480789
也称为BSZ900N15NS3 G, SP000677866
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds150V
电流, Id 连续13A
漏源接通状态电阻0.074ohm
晶体管封装类型TSDSON
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散38W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The BSZ900N15NS3 G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET ideal for high-frequency switching and synchronous rectification. It achieves a reduction in RDS (ON) of 40% and of 45% in figure of merit (FOM) compared to the next best competitor. This drastic improvement opens new possibilities like moving from leaded packages to SMD packages or effectively replacing two old parts with one OptiMOS™ part.
- Excellent switching performance
- World's lowest RDS (ON)
- Very low Qg and Qgd
- Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
- MSL1 rated 2
- Increased efficiency
- Highest power density
- Less paralleling required
- Smallest board-space consumption
- Easy-to-design products
- Normal level
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Halogen-free, Green device
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
13A
晶体管封装类型
TSDSON
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
38W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
150V
漏源接通状态电阻
0.074ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
8引脚
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000078