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CY62128ELL-45SXIT
SRAM, 异步SRAM, 1 Mbit, 128K x 8位, SOIC, 32 引脚, 4.5 V
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| 25+ | CNY24.470 (CNY27.6511) |
| 50+ | CNY21.950 (CNY24.8035) |
| 100+ | CNY20.250 (CNY22.8825) |
| 250+ | CNY18.910 (CNY21.3683) |
| 500+ | CNY17.900 (CNY20.227) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号CY62128ELL-45SXIT
库存编号2767903
也称为SP005641775, CY62128ELL-45SXIT
技术数据表
SRAM类型异步SRAM
存储密度1Mbit
记忆配置128K x 8位
IC 外壳 / 封装SOIC
针脚数32引脚
电源电压最小值4.5V
电源电压最大值5.5V
额定电源电压5V
时钟频率最大值-
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
CY62128ELL-45SXIT是一款高性能CMOS静态RAM，采用128K字×8位结构。该器件通过先进电路设计实现超低工作电流，可为便携式应用提供理想的延长电池寿命™（MoBL®）解决方案。该器件还具备自动断电功能，在地址未切换时可显著降低功耗。当器件进入待机模式（通过低电平有效CE1高电平或低电平有效CE2低电平实现）时，功耗可降低99%以上。当设备未被选中（CE1高电平且CE2低电平）、输出禁用（OE高电平且CE1低电平）或进行写操作（CE1低电平且CE2高电平且WE低电平）时，八个输入输出引脚（I/O0至I/O7）均置于高阻抗状态。
- 极高速度：45ns
- 电压范围为 4.5V 至 5.5V
- 与CY62128B引脚兼容
- 最大待机电流为4µA（工业级）
- 在f=1MHz 时，典型有效电流为 1.3mA
- 利用低电平有效 CE1、低电平有效 CE2 和低电平有效 OE 功能轻松扩展存储器
- 未选中时自动断电
- 互补金属氧化物半导体 (CMOS)，实现最佳速度和功耗
- 32 引脚 450 密耳 SOIC 封装
- 工业级工作温度范围：-40°C至+85°C
技术规格
SRAM类型
异步SRAM
记忆配置
128K x 8位
针脚数
32引脚
电源电压最大值
5.5V
时钟频率最大值
-
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
存储密度
1Mbit
IC 外壳 / 封装
SOIC
电源电压最小值
4.5V
额定电源电压
5V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
技术文档 (1)
CY62128ELL-45SXIT 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423245
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0013